モデル: | ICE11N70 |
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製品分類: | シングルFET、MOSFET |
製造元: | IceMOS Technology |
カテゴリ: | Superjunction M |
カプセル化: | - |
ほうそう: | チューブ |
数量: | 3100 |
RoHS状態: | |
見積情報の取得
|
数量
価格
合計価格
50
$3.4200
$171.0000
1000
$3.2000
$3,200.0000
5000
$2.9300
$14,650.0000
15000
$2.7000
$40,500.0000
25000
$2.5000
$62,500.0000
タイプ | 説明 |
製造元 | IceMOS Technology |
シリーズ | - |
パッケージ | チューブ |
製品の状態 | ACTIVE |
パッケージ・ケース | TO-220-3 |
取付タイプ | Through Hole |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
FETタイプ | N-Channel |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 25mOhm @ 5.5A, 10V |
消費電力(最大) | 108W (Tc) |
Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 250µA |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220 |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V |
Vgs (最大) | ±20V |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 700 V |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2750 pF @ 25 V |