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JIQUN

製品の詳細
  • image of RF FET、MOSFET>IGN1011L70
  • image of RF FET、MOSFET>IGN1011L70
モデル IGN1011L70
製品分類 RF FET、MOSFET
製造元 Integra Technologies
カテゴリ RF MOSFET GAN H
カプセル化 -
ほうそう バルク
数量 3011
RoHS状態 1
見積情報の取得
価格: $212.2600
ストック: 3011
合計数

数量

価格

合計価格

1

$212.2600

$212.2600

15

$203.2900

$3,049.3500

image of RF FET、MOSFET>13918144
13918144
モデル
13918144
製品分類
RF FET、MOSFET
製造元
Integra Technologies
カテゴリ
RF MOSFET GAN H
カプセル化
-
ほうそう
バルク
数量
1511
lang_roHSStatusStatus
1
製品パラメータ
PDF(1)
タイプ説明
製造元Integra Technologies
シリーズ-
パッケージバルク
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケースPL32A2
取付タイプChassis Mount
頻度1.03GHz ~ 1.09GHz
電力出力80W
22dB
テクノロジーGaN HEMT
サプライヤーデバイスパッケージPL32A2
電圧 - 定格120 V
電圧 - テスト50 V
電流 - テスト22 mA
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サービス時間:月曜日~土曜日9:00~18:00
オンラインカスタマーサービスを選択してください:
86-13826519287‬

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