モデル: | IGN1011L70 |
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製品分類: | RF FET、MOSFET |
製造元: | Integra Technologies |
カテゴリ: | RF MOSFET GAN H |
カプセル化: | - |
ほうそう: | バルク |
数量: | 3011 |
RoHS状態: | 1 |
見積情報の取得
|
数量
価格
合計価格
1
$212.2600
$212.2600
15
$203.2900
$3,049.3500
タイプ | 説明 |
製造元 | Integra Technologies |
シリーズ | - |
パッケージ | バルク |
製品の状態 | ACTIVE |
パッケージ・ケース | PL32A2 |
取付タイプ | Chassis Mount |
頻度 | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
電力出力 | 80W |
得 | 22dB |
テクノロジー | GaN HEMT |
サプライヤーデバイスパッケージ | PL32A2 |
電圧 - 定格 | 120 V |
電圧 - テスト | 50 V |
電流 - テスト | 22 mA |