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JIQUN
| モデル： | IMBG65R015M2HXTMA1 |
|---|---|
| 製品分類： | シングルFET、MOSFET |
| 製造元： | IR (Infineon Technologies) |
| カテゴリ： | SILICON CARBIDE |
| カプセル化： | - |
| ほうそう： | テープ＆リール（TR） |
| 数量： | 3000 |
| RoHS状態： | 1 |
|
見積情報の取得
|
数量
価格
合計価格
1
$21.3500
$21.3500
10
$19.6900
$196.9000
25
$18.8100
$470.2500
100
$16.8200
$1,682.0000
250
$16.0400
$4,010.0000
500
$15.2700
$7,635.0000
1000
$14.3800
$14,380.0000
| タイプ | 説明 |
| 製造元 | IR (Infineon Technologies) |
| シリーズ | CoolSiC™ Gen 2 |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 115A (Tc) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 18mOhm @ 64.2A, 18V |
| 消費電力(最大) | 416W (Tc) |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5.6V @ 13mA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO263-7-12 |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 15V, 20V |
| Vgs (最大) | +23V, -7V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 79 nC @ 18 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2792 pF @ 400 V |
