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JIQUN
| モデル： | IPD70N10S3L12ATMA2 |
|---|---|
| 製品分類： | シングルFET、MOSFET |
| 製造元： | IR (Infineon Technologies) |
| カテゴリ： | MOSFET_(75V 120 |
| カプセル化： | - |
| ほうそう： | テープ＆リール（TR） |
| 数量： | 3000 |
| RoHS状態： | 1 |
|
見積情報の取得
|
数量
価格
合計価格
2500
$1.1000
$2,750.0000
5000
$1.0500
$5,250.0000
| タイプ | 説明 |
| 製造元 | IR (Infineon Technologies) |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 11.5mOhm @ 70A, 10V |
| 消費電力(最大) | 125W (Tc) |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.4V @ 83µA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO252-3-11 |
| 学年 | Automotive |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 77 nC @ 10 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 5550 pF @ 25 V |
| 資格 | AEC-Q101 |
