言語:ja 
- zh-cn
- en
- ja
- ru
- fr
- ar
JIQUN
| モデル： | IPTC026N12NM6ATMA1 |
|---|---|
| 製品分類： | シングルFET、MOSFET |
| 製造元： | IR (Infineon Technologies) |
| カテゴリ： | TRENCH >=100V |
| カプセル化： | - |
| ほうそう： | テープ＆リール（TR） |
| 数量： | 3000 |
| RoHS状態： | 1 |
|
見積情報の取得
|
数量
価格
合計価格
1
$6.0500
$6.0500
10
$5.4600
$54.6000
25
$5.2100
$130.2500
100
$4.5200
$452.0000
250
$4.3200
$1,080.0000
500
$3.9400
$1,970.0000
1800
$3.4300
$6,174.0000
| タイプ | 説明 |
| 製造元 | IR (Infineon Technologies) |
| シリーズ | OptiMOS™ 6 |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | 16-PowerSOP Module |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 26A (Ta), 222A (Tc) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 2.6mOhm @ 115A, 10V |
| 消費電力(最大) | 3.8W (Ta), 278W (Tc) |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.6V @ 169µA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-HDSOP-16-2 |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 8V, 10V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 120 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 88 nC @ 10 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 6500 pF @ 60 V |
