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JIQUN
| モデル： | IV1Q12050T3 |
|---|---|
| 製品分類： | シングルFET、MOSFET |
| 製造元： | Inventchip Technology |
| カテゴリ： | SIC MOSFET, 120 |
| カプセル化： | - |
| ほうそう： | チューブ |
| 数量： | 3000 |
| RoHS状態： | 1 |
|
見積情報の取得
|
数量
価格
合計価格
1
$36.0600
$36.0600
10
$32.0500
$320.5000
100
$28.0300
$2,803.0000
| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Inventchip Technology |
| シリーズ | - |
| パッケージ | チューブ |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | TO-247-3 |
| 取付タイプ | Through Hole |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 65mOhm @ 20A, 20V |
| 消費電力(最大) | 327W (Tc) |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.2V @ 6mA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-3 |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 20V |
| Vgs (最大) | +20V, -5V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 120 nC @ 20 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2770 pF @ 800 V |
