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JIQUN

製品の詳細
  • image of IGBTモジュール>NXH100T120L3Q0S1NG
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モデル NXH100T120L3Q0S1NG
製品分類 IGBTモジュール
製造元 Sanyo Semiconductor/onsemi
カテゴリ 1200V GEN III Q
カプセル化 -
ほうそう トレイ
数量 3024
RoHS状態 1
見積情報の取得
価格: $60.5700
ストック: 3024
合計数

数量

価格

合計価格

1

$60.5700

$60.5700

24

$55.0700

$1,321.6800

48

$53.2300

$2,555.0400

96

$49.5600

$4,757.7600

image of IGBTモジュール>21575831
21575831
モデル
21575831
製品分類
IGBTモジュール
製造元
Sanyo Semiconductor/onsemi
カテゴリ
1200V GEN III Q
カプセル化
-
ほうそう
トレイ
数量
1524
lang_roHSStatusStatus
1
製品パラメータ
PDF(1)
タイプ説明
製造元Sanyo Semiconductor/onsemi
シリーズ-
パッケージトレイ
製品の状態ACTIVE
パッケージ・ケースModule
取付タイプChassis Mount
入力Standard
構成Three Level Inverter
動作温度-40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (最大) @ Vge、Ic2.2V @ 15V, 75A
NTCサーミスタYes
サプライヤーデバイスパッケージ18-PIM/Q0PACK (55x32.5)
電流 - コレクタ (Ic) (最大)54 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大)650 V
パワー - 最大122 W
電流 - コレクタカットオフ (最大)200 µA
入力容量 (Cies) @ Vce4877 pF @ 25 V
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サービス時間:月曜日~土曜日9:00~18:00
オンラインカスタマーサービスを選択してください:
86-13826519287‬

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