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JIQUN
| モデル： | PSMN1R9-40YSBX |
|---|---|
| 製品分類： | シングルFET、MOSFET |
| 製造元： | Nexperia |
| カテゴリ： | PSMN1R9-40YSB/S |
| カプセル化： | - |
| ほうそう： | テープ＆リール（TR） |
| 数量： | 3000 |
| RoHS状態： | 1 |
|
見積情報の取得
|
数量
価格
合計価格
1
$1.4400
$1.4400
10
$1.1800
$11.8000
100
$0.9100
$91.0000
500
$0.7700
$385.0000
1500
$0.6300
$945.0000
3000
$0.5900
$1,770.0000
7500
$0.5700
$4,275.0000
10500
$0.5400
$5,670.0000
| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Nexperia |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | SC-100, SOT-669 |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.9mOhm @ 25A, 10V |
| FETの特徴 | Schottky Diode (Body) |
| 消費電力(最大) | 194W (Tc) |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.6V @ 1mA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | LFPAK56, Power-SO8 |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 40 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 6297 pF @ 20 V |
