RN2427TE85LF シングル、プリバイアスされたバイポーラトランジスタ

製品の詳細

モデル：	RN2427TE85LF
製品分類：	シングル、プリバイアスされたバイポーラトランジスタ
製造元：	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリ：	TRANS PREBIAS P
カプセル化：	-
ほうそう：	テープ＆リール（TR）
数量：	10830
RoHS状態：	1
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価格: $0.4500

ストック: 10830

合計数

数量

価格

合計価格

$0.4500

$0.3200

$3.2000

100

$0.1600

$16.0000

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$70.0000

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$110.0000

3000

$0.1000

$300.0000

6000

$0.1000

$600.0000

9000

$0.0900

$810.0000

30000

$0.0800

$2,400.0000

75000

$0.0700

$5,250.0000

2330339

モデル：

2330339

製品分類：

シングル、プリバイアスされたバイポーラトランジスタ

製造元：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

カテゴリ：

TRANS PREBIAS P

カプセル化：

ほうそう：

テープ＆リール（TR）

数量：

9330

lang_roHSStatusStatus：

製品パラメータ

PDF(1)

タイプ	説明
製造元	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ	-
パッケージ	テープ＆リール（TR）
製品の状態	ACTIVE
パッケージ・ケース	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
取付タイプ	Surface Mount
トランジスタの種類	PNP - Pre-Biased
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic	250mV @ 1mA, 50mA
電流 - コレクタカットオフ (最大)	500nA
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce	90 @ 100mA, 1V
サプライヤーデバイスパッケージ	S-Mini
電流 - コレクタ (Ic) (最大)	800 mA
電圧 - コレクタエミッタブレイクダウン (最大)	50 V
パワー - 最大	200 mW
周波数 - 遷移	200 MHz
抵抗 - ベース (R1)	2.2 kOhms
抵抗 - エミッタベース (R2)	10 kOhms