RN4990(TE85L,F) バイポーラトランジスタアレイ、プリバイアス

製品の詳細

モデル：	RN4990(TE85L,F)
製品分類：	バイポーラトランジスタアレイ、プリバイアス
製造元：	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリ：	NPN + PNP BRT Q
カプセル化：	-
ほうそう：	テープ＆リール（TR）
数量：	3090
RoHS状態：
見積情報の取得

価格: $0.0600

ストック: 3090

合計数

数量

価格

合計価格

$0.3300

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$2.3000

100

$0.1200

$12.0000

500

$0.0900

$45.0000

1000

$0.0700

$70.0000

3000

$0.0600

$180.0000

6000

$0.0600

$360.0000

9000

$0.0500

$450.0000

30000

$0.0500

$1,500.0000

75000

$0.0400

$3,000.0000

150000

$0.0400

$6,000.0000

11478764

モデル：

11478764

製品分類：

バイポーラトランジスタアレイ、プリバイアス

製造元：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

カテゴリ：

NPN + PNP BRT Q

カプセル化：

ほうそう：

テープ＆リール（TR）

数量：

1590

lang_roHSStatusStatus：

製品パラメータ

PDF(1)

タイプ	説明
製造元	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ	-
パッケージ	テープ＆リール（TR）
製品の状態	ACTIVE
パッケージ・ケース	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
取付タイプ	Surface Mount
トランジスタの種類	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
パワー - 最大	200mW
電流 - コレクタ (Ic) (最大)	100mA
電圧 - コレクタエミッタブレイクダウン (最大)	50V
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic	300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタカットオフ (最大)	100nA (ICBO)
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce	120 @ 1mA, 5V
周波数 - 遷移	250MHz, 200MHz
抵抗 - ベース (R1)	4.7kOhms
サプライヤーデバイスパッケージ	US6