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JIQUN
| モデル： | SQJ110EP-T1_GE3 |
|---|---|
| 製品分類： | シングルFET、MOSFET |
| 製造元： | Vishay / Siliconix |
| カテゴリ： | AUTOMOTIVE N-CH |
| カプセル化： | - |
| ほうそう： | テープ＆リール（TR） |
| 数量： | 3000 |
| RoHS状態： | 1 |
|
見積情報の取得
|
数量
価格
合計価格
1
$1.6600
$1.6600
10
$1.3800
$13.8000
100
$1.1000
$110.0000
500
$0.9300
$465.0000
1000
$0.7900
$790.0000
3000
$0.7500
$2,250.0000
6000
$0.7200
$4,320.0000
9000
$0.7000
$6,300.0000
| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Vishay / Siliconix |
| シリーズ | TrenchFET® |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | PowerPAK® SO-8 |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 170A (Tc) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 6.3mOhm @ 15A, 10V |
| 消費電力(最大) | 500W (Tc) |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 250µA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
| 学年 | Automotive |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 113 nC @ 10 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 6100 pF @ 25 V |
| 資格 | AEC-Q101 |
