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JIQUN
| モデル： | TP65H050G4YS |
|---|---|
| 製品分類： | シングルFET、MOSFET |
| 製造元： | Transphorm |
| カテゴリ： | 650 V 35 A GAN |
| カプセル化： | - |
| ほうそう： | チューブ |
| 数量： | 3402 |
| RoHS状態： | 1 |
|
見積情報の取得
|
数量
価格
合計価格
1
$14.3600
$14.3600
10
$12.6500
$126.5000
450
$9.9100
$4,459.5000
| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Transphorm |
| シリーズ | SuperGaN® |
| パッケージ | チューブ |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | TO-247-4 |
| 取付タイプ | Through Hole |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| テクノロジー | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 60mOhm @ 22A, 10V |
| 消費電力(最大) | 132W (Tc) |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.8V @ 700µA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-4L |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1000 pF @ 400 V |
