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JIQUN
| モデル： | TP65H070G4QS-TR |
|---|---|
| 製品分類： | シングルFET、MOSFET |
| 製造元： | Transphorm |
| カテゴリ： | 650 V 29 A GAN |
| カプセル化： | - |
| ほうそう： | テープ＆リール（TR） |
| 数量： | 3000 |
| RoHS状態： | 1 |
|
見積情報の取得
|
数量
価格
合計価格
1
$8.6100
$8.6100
10
$7.3800
$73.8000
100
$6.1500
$615.0000
500
$5.4200
$2,710.0000
1000
$4.8800
$4,880.0000
2000
$4.5700
$9,140.0000
| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Transphorm |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | 8-PowerSFN |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| テクノロジー | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 85mOhm @ 16A, 10V |
| 消費電力(最大) | 96W (Tc) |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.8V @ 700µA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TOLL |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 8.4 nC @ 10 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 600 pF @ 400 V |
