モデル: | TPH3208LDG |
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製品分類: | シングルFET、MOSFET |
製造元: | Transphorm |
カテゴリ: | GANFET N-CH 650 |
カプセル化: | - |
ほうそう: | チューブ |
数量: | 3009 |
RoHS状態: | 1 |
見積情報の取得
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数量
価格
合計価格
1
$10.9100
$10.9100
タイプ | 説明 |
製造元 | Transphorm |
シリーズ | - |
パッケージ | チューブ |
製品の状態 | OBSOLETE |
パッケージ・ケース | 3-PowerDFN |
取付タイプ | Surface Mount |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
テクノロジー | GaNFET (Gallium Nitride) |
FETタイプ | N-Channel |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 130mOhm @ 13A, 8V |
消費電力(最大) | 96W (Tc) |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.6V @ 300µA |
サプライヤーデバイスパッケージ | 3-PQFN (8x8) |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V |
Vgs (最大) | ±18V |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 14 nC @ 8 V |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 760 pF @ 400 V |