モデル: | WNSC2D12650TJ |
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製品分類: | 単一ダイオード |
製造元: | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
カテゴリ: | DIODE SIL CARBI |
カプセル化: | - |
ほうそう: | テープ&リール(TR) |
数量: | 5985 |
RoHS状態: | |
見積情報の取得
|
数量
価格
合計価格
1
$3.4000
$3.4000
10
$2.8500
$28.5000
100
$2.3100
$231.0000
500
$2.0500
$1,025.0000
1000
$1.7600
$1,760.0000
3000
$1.6500
$4,950.0000
6000
$1.5900
$9,540.0000
タイプ | 説明 |
製造元 | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
シリーズ | - |
パッケージ | テープ&リール(TR) |
製品の状態 | ACTIVE |
パッケージ・ケース | 4-VSFN Exposed Pad |
取付タイプ | Surface Mount |
スピード | No Recovery Time > 500mA (Io) |
逆回復時間 (trr) | 0 ns |
テクノロジー | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
静電容量 @ Vr、F | 380pF @ 1V, 1MHz |
電流 - 平均整流 (Io) | 12A |
サプライヤーデバイスパッケージ | 5-DFN (8x8) |
動作温度 - ジャンクション | 175°C |
電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大) | 650 V |
電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If | 1.7 V @ 12 A |
電流 - 逆漏れ電流 @ Vr | 60 µA @ 650 V |