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JIQUN
| モデル： | XP10NA011J |
|---|---|
| 製品分類： | シングルFET、MOSFET |
| 製造元： | YAGEO XSEMI |
| カテゴリ： | MOSFET N-CH 100 |
| カプセル化： | - |
| ほうそう： | チューブ |
| 数量： | 4000 |
| RoHS状態： | 1 |
|
見積情報の取得
|
数量
価格
合計価格
1
$3.0700
$3.0700
80
$2.0900
$167.2000
560
$1.8600
$1,041.6000
1040
$1.5900
$1,653.6000
2000
$1.5000
$3,000.0000
5040
$1.4400
$7,257.6000
| タイプ | 説明 |
| 製造元 | YAGEO XSEMI |
| シリーズ | XS10NA011 |
| パッケージ | チューブ |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA |
| 取付タイプ | Through Hole |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 48.5A (Tc) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 11mOhm @ 30A, 10V |
| 消費電力(最大) | 1.13W (Ta), 50W (Tc) |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-251S |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2288 pF @ 80 V |
