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JIQUN
| モデル： | XP3N1R0MT |
|---|---|
| 製品分類： | シングルFET、MOSFET |
| 製造元： | YAGEO XSEMI |
| カテゴリ： | FET N-CH 30V 54 |
| カプセル化： | - |
| ほうそう： | テープ＆リール（TR） |
| 数量： | 4000 |
| RoHS状態： | 1 |
|
見積情報の取得
|
数量
価格
合計価格
1
$4.0400
$4.0400
10
$3.3900
$33.9000
100
$2.7400
$274.0000
500
$2.4400
$1,220.0000
1000
$2.0900
$2,090.0000
3000
$1.9600
$5,880.0000
| タイプ | 説明 |
| 製造元 | YAGEO XSEMI |
| シリーズ | XP3N1R0 |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | 8-PowerLDFN |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 54.2A (Ta), 245A (Tc) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.05mOhm @ 20A, 10V |
| 消費電力(最大) | 5W (Ta), 104W (Tc) |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.2V @ 250µA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PMPAK® 5 x 6 |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 120 nC @ 4.5 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 12320 pF @ 15 V |
