G3R40MT12D Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Подробности продукции

Тип ：	G3R40MT12D
Классификация：	Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель：	GeneSiC Semiconductor
Описание ：	SIC MOSFET N-CH
Упаковка：	-
Упаковка：	Трубка
Количество ：	4732
Состояние RoHS：	1
Параметры продукции

Цены : $17.4200

Параметры продукции : 4732

Всего

Количество

Цены

Общая стоимость

$17.4200

$15.9000

$159.0000

$15.3300

$383.2500

100

$14.5200

$1,452.0000

250

$14.0000

$3,500.0000

500

$13.6200

$6,810.0000

13280383

Тип ：

13280383

Классификация：

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Производитель：

GeneSiC Semiconductor

Описание ：

SIC MOSFET N-CH

Упаковка：

Трубка

Количество ：

3232

lang_roHSStatusStatus：

Параметры продукции

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	GeneSiC Semiconductor
Ряд	G3R™
Упаковка	Трубка
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	TO-247-3
Тип монтажа	Through Hole
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	71A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	48mOhm @ 35A, 15V
Рассеиваемая мощность (макс.)	333W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id	2.69V @ 10mA
Пакет устройств поставщика	TO-247-3
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	15V
ВГС (Макс)	±15V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	106 nC @ 15 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	2929 pF @ 800 V