Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ja
  • ru
  • fr
  • ar

JIQUN

Подробности продукции
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT400P10M
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GT400P10M
Тип  GT400P10M
Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель Goford Semiconductor
Описание  MOSFET P-CH 100
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  3783
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.9500
Параметры продукции : 3783
Всего 

Количество 

Цены 

Общая стоимость 

1

$1.7000

$1.7000

10

$1.4100

$14.1000

100

$1.1200

$112.0000

800

$0.9500

$760.0000

1600

$0.8100

$1,296.0000

2400

$0.7700

$1,848.0000

5600

$0.7400

$4,144.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>21556459
21556459
Тип 
21556459
Классификация
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Goford Semiconductor
Описание 
MOSFET P-CH 100
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
2283
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораP-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C35A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs35mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)106W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-263
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs41 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds3073 pF @ 50 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
86-13826519287‬

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
点击这里给我发消息
0