ICE60N199 Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Подробности продукции

Тип ：	ICE60N199
Классификация：	Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель：	IceMOS Technology
Описание ：	Superjunction M
Упаковка：	-
Упаковка：	Трубка
Количество ：	3100
Состояние RoHS：
Параметры продукции

Цены : $2.5100

Параметры продукции : 3100

Всего

Количество

Цены

Общая стоимость

$2.5100

$125.5000

1000

$2.3500

$2,350.0000

5000

$2.1500

$10,750.0000

15000

$1.9800

$29,700.0000

25000

$1.8400

$46,000.0000

20412692

Тип ：

20412692

Классификация：

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Производитель：

IceMOS Technology

Описание ：

Superjunction M

Упаковка：

Трубка

Количество ：

1600

lang_roHSStatusStatus：

Параметры продукции

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	IceMOS Technology
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	TO-220-3
Тип монтажа	Through Hole
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	20A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	199mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)	180W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id	3.9V @ 250µA
Пакет устройств поставщика	TO-220
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	10V
ВГС (Макс)	±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	600 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	64 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1890 pF @ 25 V