Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ja
  • ru
  • fr
  • ar

JIQUN

Подробности продукции
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IRFD210
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IRFD210
Тип  IRFD210
Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель Vishay / Siliconix
Описание  MOSFET N-CH 200
Упаковка -
Упаковка Трубка
Количество  3000
Состояние RoHS
Параметры продукции 
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>10817
10817
Тип 
10817
Классификация
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Vishay / Siliconix
Описание 
MOSFET N-CH 200
Упаковка
-
Упаковка
Трубка
Количество 
1500
lang_roHSStatusStatus
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительVishay / Siliconix
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейс4-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C600mA (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 360mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)1W (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Пакет устройств поставщика4-HVMDIP
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs8.2 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds140 pF @ 25 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
86-13826519287‬

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
点击这里给我发消息
0