Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ja
- ru
- fr
- ar
JIQUN
| Тип ： | IRFZ44NSTRRPBF |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | International Rectifier |
| Описание ： | HEXFET POWER MO |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Масса |
| Количество ： | 3450 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Общая стоимость
450
$0.7900
$355.5000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | International Rectifier |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 49A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 17.5mOhm @ 25A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 94W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 55 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1470 pF @ 25 V |
