Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ja
  • ru
  • fr
  • ar

JIQUN

Подробности продукции
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>NXV08A170DB2
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>NXV08A170DB2
Тип  NXV08A170DB2
Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание  APM12-CBA, MV7
Упаковка -
Упаковка Поднос
Количество  3000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $13.1800
Параметры продукции : 3000
Всего 

Количество 

Цены 

Общая стоимость 

1

$19.0900

$19.0900

10

$17.5400

$175.4000

25

$16.8200

$420.5000

80

$14.0900

$1,127.2000

288

$13.1800

$3,795.8400

576

$12.2700

$7,067.5200

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>22161908
22161908
Тип 
22161908
Классификация
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель
Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание 
APM12-CBA, MV7
Упаковка
-
Упаковка
Поднос
Количество 
1500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительSanyo Semiconductor/onsemi
Ряд-
УпаковкаПоднос
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm)
Тип монтажаThrough Hole
Конфигурация2 N-Channel (Half Bridge)
Рабочая Температура175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)80V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C200A (Tj)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds14000pF @ 40V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs195nC @ 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаAPM12-CBA
ОценкаAutomotive
КвалификацияAEC-Q100
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
86-13826519287‬

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
点击这里给我发消息
0