Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ja
- ru
- fr
- ar
JIQUN
| Тип ： | PSMN8R7-80PS,127 |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | NXP Semiconductors |
| Описание ： | NEXPERIA PSMN8R |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Масса |
| Количество ： | 9806 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Общая стоимость
313
$0.9600
$300.4800
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-220-3 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 90A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 8.7mOhm @ 10A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 170W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 1mA |
| Пакет устройств поставщика | TO-220AB |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 80 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 3346 pF @ 40 V |
