Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ja
- ru
- fr
- ar
JIQUN
| Тип ： | RN4990(TE85L,F) |
|---|---|
| Классификация： | Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением |
| Производитель： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Описание ： | NPN + PNP BRT Q |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 3090 |
| Состояние RoHS： | |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Общая стоимость
1
$0.3300
$0.3300
10
$0.2300
$2.3000
100
$0.1200
$12.0000
500
$0.0900
$45.0000
1000
$0.0700
$70.0000
3000
$0.0600
$180.0000
6000
$0.0600
$360.0000
9000
$0.0500
$450.0000
30000
$0.0500
$1,500.0000
75000
$0.0400
$3,000.0000
150000
$0.0400
$6,000.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Мощность - Макс. | 200mW |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50V |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100nA (ICBO) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Частота – переход | 250MHz, 200MHz |
| Резистор — база (R1) | 4.7kOhms |
| Пакет устройств поставщика | US6 |
