SIZF300DT-T1-GE3 Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов

Подробности продукции

Тип ：	SIZF300DT-T1-GE3
Классификация：	Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель：	Vishay / Siliconix
Описание ：	MOSFET 2N-CH 30
Упаковка：	-
Упаковка：	Лента и катушка (TR)
Количество ：	5826
Состояние RoHS：	1
Параметры продукции

Цены : $0.4800

Параметры продукции : 5826

Всего

Количество

Цены

Общая стоимость

$1.2200

$1.0000

$10.0000

100

$0.7700

$77.0000

500

$0.6600

$330.0000

1000

$0.5300

$530.0000

6000

$0.4800

$2,880.0000

9000

$0.4600

$4,140.0000

9599014

Тип ：

9599014

Классификация：

Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов

Производитель：

Vishay / Siliconix

Описание ：

MOSFET 2N-CH 30

Упаковка：

Лента и катушка (TR)

Количество ：

4326

lang_roHSStatusStatus：

Параметры продукции

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	Vishay / Siliconix
Ряд	TrenchFET® Gen IV
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	8-PowerWDFN
Тип монтажа	Surface Mount
Конфигурация	2 N-Channel (Dual)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.	3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	30V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Пакет устройств поставщика	8-PowerPair® (6x5)