Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ja
  • ru
  • fr
  • ar

JIQUN

Подробности продукции
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>STB15NM60N
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>STB15NM60N
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>STB15NM60N
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>STB15NM60N
Тип  STB15NM60N
Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель STMicroelectronics
Описание  MOSFET N-CH 600
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  3000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>1852403
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>1852403
1852403
Тип 
1852403
Классификация
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
STMicroelectronics
Описание 
MOSFET N-CH 600
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
1500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительSTMicroelectronics
РядMDmesh™ II
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейсTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C14A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs299mOhm @ 7A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)125W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаD2PAK
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±25V
Напряжение стока к источнику (Vdss)600 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs37 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1250 pF @ 50 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
86-13826519287‬

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
点击这里给我发消息
0