Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ja
- ru
- fr
- ar
JIQUN
| Тип ： | TP44400SG |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | Tagore Technology |
| Описание ： | GAN FET HEMT 65 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 5960 |
| Состояние RoHS： | |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Общая стоимость
1
$2.1300
$2.1300
10
$1.8400
$18.4000
100
$1.5900
$159.0000
500
$1.2800
$640.0000
3000
$1.2800
$3,840.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Tagore Technology |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 22-PowerVFQFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 6.5A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 500mA, 6V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 2.8mA |
| Пакет устройств поставщика | 22-QFN (5x7) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 0V, 6V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 0.75 nC @ 6 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 28 pF @ 400 V |
