型号: | BUK7E3R5-60E,127 |
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产品分类: | 单 FET、MOSFET |
制造商: | NXP Semiconductors |
描述: | TRANSISTOR >30M |
封装: | - |
包装: | 散装 |
数量: | 3710 |
RoHS 状态: | |
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数量
价格
总价
316
$0.9500
$300.2000
类型 | 描述 |
制造商 | NXP Semiconductors |
系列 | TrenchMOS™ |
包裹 | 散装 |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA |
安装类型 | Through Hole |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应管类型 | N-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 3.5mOhm @ 25A, 10V |
功耗(最大) | 293W (Tc) |
Vgs(th)(最大值)@Id | 4V @ 1mA |
供应商设备包 | I2PAK |
年级 | Automotive |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
漏源电压 (Vdss) | 60 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 114 nC @ 10 V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 8920 pF @ 25 V |
资质 | AEC-Q101 |