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产品详情
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型号 G06N06S
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Goford Semiconductor
描述 N60V,RD(MAX)<22
封装 -
包装 卷带式 (TR)
数量 9142
RoHS 状态 1
获取报价信息
价格: $0.2200
库存: 9142
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$440.0000

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$880.0000

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$1,680.0000

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$2,400.0000

28000

$0.1900

$5,320.0000

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16499564
型号
16499564
产品分类
单 FET、MOSFET
制造商
Goford Semiconductor
描述
N60V,RD(MAX)<22
封装
-
包装
卷带式 (TR)
数量
7642
lang_roHSStatusStatus
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C8A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs22mOhm @ 6A, 10V
功耗(最大)2.1W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.4V @ 250µA
供应商设备包8-SOP
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)60 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs46 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1600 pF @ 30 V
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服务时间: 周一至周六9:00-18:00
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