G06NP06S2 FET、MOSFET 阵列

产品详情

型号：	G06NP06S2
产品分类：	FET、MOSFET 阵列
制造商：	Goford Semiconductor
描述：	MOSFET N/P-CH 6
封装：	-
包装：	卷带式 (TR)
数量：	14960
RoHS 状态：	1
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价格: $0.8300

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$7,840.0000

16533492

型号：

16533492

产品分类：

FET、MOSFET 阵列

制造商：

Goford Semiconductor

描述：

MOSFET N/P-CH 6

封装：

包装：

卷带式 (TR)

数量：

13460

lang_roHSStatusStatus：

产品参数

PDF(1)

类型	描述
制造商	Goford Semiconductor
系列	TrenchFET®
包裹	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	8-SOP
安装类型	Surface Mount
配置	N and P-Channel
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
技术	MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大	2W (Tc), 2.5W (Tc)
漏源电压 (Vdss)	60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	6A (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
Rds On（最大）@Id、Vgs	35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th)（最大值）@Id	2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
供应商设备包	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)