G10N10A 单 FET、MOSFET

产品详情

型号：	G10N10A
产品分类：	单 FET、MOSFET
制造商：	Goford Semiconductor
描述：	N100V,RD(MAX)13
封装：	-
包装：	卷带式 (TR)
数量：	7794
RoHS 状态：	1
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16533496

型号：

16533496

产品分类：

单 FET、MOSFET

制造商：

Goford Semiconductor

描述：

N100V,RD(MAX)13

封装：

包装：

卷带式 (TR)

数量：

6294

lang_roHSStatusStatus：

产品参数

PDF(1)

类型	描述
制造商	Goford Semiconductor
系列	TrenchFET®
包裹	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型	Surface Mount
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs	130mOhm @ 2A, 10V
功耗（最大）	28W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id	3V @ 250µA
供应商设备包	TO-252
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	4.5V, 10V
Vgs（最大）	±20V
漏源电压 (Vdss)	100 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	90 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	690 pF @ 25 V