型号: | G160N04K |
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产品分类: | 单 FET、MOSFET |
制造商: | Goford Semiconductor |
描述: | N40V, 25A,RD<15 |
封装: | - |
包装: | 卷带式 (TR) |
数量: | 7821 |
RoHS 状态: | 1 |
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数量
价格
总价
1
$0.4900
$0.4900
10
$0.4200
$4.2000
100
$0.2900
$29.0000
500
$0.2300
$115.0000
1000
$0.1800
$180.0000
2500
$0.1600
$400.0000
5000
$0.1600
$800.0000
12500
$0.1400
$1,750.0000
25000
$0.1400
$3,500.0000
62500
$0.1400
$8,750.0000
类型 | 描述 |
制造商 | Goford Semiconductor |
系列 | TrenchFET® |
包裹 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
安装类型 | Surface Mount |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应管类型 | N-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 15mOhm @ 8A, 10V |
功耗(最大) | 43W (Tc) |
Vgs(th)(最大值)@Id | 2V @ 250µA |
供应商设备包 | TO-252 |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 4.5V, 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
漏源电压 (Vdss) | 40 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 20 nC @ 10 V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 1010 pF @ 20 V |