语言:zh-cn
  • zh-cn
  • en
  • ja
  • ru
  • fr
  • ar

集群科技

产品详情
  • image of 单 FET、MOSFET>G7P03S
  • image of 单 FET、MOSFET>G7P03S
型号 G7P03S
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Goford Semiconductor
描述 P30V,RD(MAX)<22
封装 -
包装 卷带式 (TR)
数量 6626
RoHS 状态 1
获取报价信息
价格: $0.4000
库存: 6626
总数

数量

价格

总价

1

$0.4000

$0.4000

10

$0.3400

$3.4000

100

$0.2400

$24.0000

500

$0.1800

$90.0000

1000

$0.1500

$150.0000

2000

$0.1300

$260.0000

4000

$0.1300

$520.0000

8000

$0.1300

$1,040.0000

12000

$0.1200

$1,440.0000

28000

$0.1200

$3,360.0000

image of 单 FET、MOSFET>16533494
16533494
型号
16533494
产品分类
单 FET、MOSFET
制造商
Goford Semiconductor
描述
P30V,RD(MAX)<22
封装
-
包装
卷带式 (TR)
数量
5126
lang_roHSStatusStatus
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型P-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C9A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs22mOhm @ 3A, 10V
功耗(最大)2.7W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2V @ 250µA
供应商设备包8-SOP
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)30 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs24.5 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1253 pF @ 15 V
captcha

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:
86-13826519287‬

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:
点击这里给我发消息
0