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产品详情
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型号 IRFSL31N20DTRL
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Vishay / Siliconix
描述 MOSFET N-CH 200
封装 -
包装 卷带式 (TR)
数量 3000
RoHS 状态
获取报价信息
image of 单 FET、MOSFET>360661
360661
型号
360661
产品分类
单 FET、MOSFET
制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET N-CH 200
封装
-
包装
卷带式 (TR)
数量
1500
lang_roHSStatusStatus
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C31A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs82mOhm @ 18A, 10V
功耗(最大)3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id5.5V @ 250µA
供应商设备包I2PAK
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±30V
漏源电压 (Vdss)200 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs110 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2370 pF @ 25 V
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服务时间: 周一至周六9:00-18:00
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