RN4990(TE85L,F) 双极晶体管阵列，预偏置

产品详情

型号：	RN4990(TE85L,F)
产品分类：	双极晶体管阵列，预偏置
制造商：	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述：	NPN + PNP BRT Q
封装：	-
包装：	卷带式 (TR)
数量：	3090
RoHS 状态：
获取报价信息

价格: $0.0600

库存: 3090

总数

数量

价格

总价

$0.3300

$0.2300

$2.3000

100

$0.1200

$12.0000

500

$0.0900

$45.0000

1000

$0.0700

$70.0000

3000

$0.0600

$180.0000

6000

$0.0600

$360.0000

9000

$0.0500

$450.0000

30000

$0.0500

$1,500.0000

75000

$0.0400

$3,000.0000

150000

$0.0400

$6,000.0000

11478764

型号：

11478764

产品分类：

双极晶体管阵列，预偏置

制造商：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述：

NPN + PNP BRT Q

封装：

包装：

卷带式 (TR)

数量：

1590

lang_roHSStatusStatus：

产品参数

PDF(1)

类型	描述
制造商	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
系列	-
包裹	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安装类型	Surface Mount
晶体管类型	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
功率 - 最大	200mW
集电极电流 (Ic)（最大）	100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	50V
Vce 饱和度（最大值）@Ib、Ic	300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止（最大）	100nA (ICBO)
直流电流增益 (hFE)（最小值）@ Ic、Vce	120 @ 1mA, 5V
频率-转变	250MHz, 200MHz
电阻器 - 基极 (R1)	4.7kOhms
供应商设备包	US6