语言:zh-cn
  • zh-cn
  • en
  • ja
  • ru
  • fr
  • ar

集群科技

产品详情
  • image of FET、MOSFET 阵列>SQJB46ELP-T1_GE3
  • image of FET、MOSFET 阵列>SQJB46ELP-T1_GE3
  • image of FET、MOSFET 阵列>SQJB46ELP-T1_GE3
  • image of FET、MOSFET 阵列>SQJB46ELP-T1_GE3
型号 SQJB46ELP-T1_GE3
产品分类 FET、MOSFET 阵列
制造商 Vishay / Siliconix
描述 MOSFET 2N-CH 40
封装 -
包装 卷带式 (TR)
数量 3730
RoHS 状态 1
获取报价信息
价格: $1.1700
库存: 3730
总数

数量

价格

总价

1

$1.1700

$1.1700

10

$0.9600

$9.6000

100

$0.7400

$74.0000

500

$0.6300

$315.0000

1000

$0.5100

$510.0000

3000

$0.4800

$1,440.0000

6000

$0.4600

$2,760.0000

9000

$0.4400

$3,960.0000

image of FET、MOSFET 阵列>13175723
image of FET、MOSFET 阵列>13175723
13175723
型号
13175723
产品分类
FET、MOSFET 阵列
制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET 2N-CH 40
封装
-
包装
卷带式 (TR)
数量
2230
lang_roHSStatusStatus
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱PowerPAK® SO-8 Dual
安装类型Surface Mount
配置2 N-Channel
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大34W (Tc)
漏源电压 (Vdss)40V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C30A (Tc)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2100pF @ 25V
Rds On(最大)@Id、Vgs8mOhm @ 8A, 10V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs40nC @ 10V
Vgs(th)(最大值)@Id2.2V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK® SO-8 Dual
年级Automotive
资质AEC-Q101
captcha

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:
86-13826519287‬

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:
点击这里给我发消息
0