型号: | STB15NM60N |
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产品分类: | 单 FET、MOSFET |
制造商: | STMicroelectronics |
描述: | MOSFET N-CH 600 |
封装: | - |
包装: | 卷带式 (TR) |
数量: | 3000 |
RoHS 状态: | 1 |
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类型 | 描述 |
制造商 | STMicroelectronics |
系列 | MDmesh™ II |
包裹 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | OBSOLETE |
包装/箱 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
安装类型 | Surface Mount |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应管类型 | N-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 299mOhm @ 7A, 10V |
功耗(最大) | 125W (Tc) |
Vgs(th)(最大值)@Id | 4V @ 250µA |
供应商设备包 | D2PAK |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 10V |
Vgs(最大) | ±25V |
漏源电压 (Vdss) | 600 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 37 nC @ 10 V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 1250 pF @ 50 V |